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申请/专利权人：NexFi技术株式会社;国立大学法人大阪大学
摘要：本发明的功率基板101具备：多个绝缘基板106，其沿着在同一方向上延伸的多个电流路径P排列配置；多个MOS晶体管108，其经由第一导电层107、第一焊料接合层109搭载在多个绝缘基板106的一个主面上；以及散热部件108，其经由第二导电层107、第二焊料接合层109与全部的所述绝缘基板的另一个主面接触，其中，一个一个的电流路径P由搭载在不同的绝缘基板106上的单个或多个MOS晶体管108彼此串联连接而形成。
主权项：1.一种功率基板，其特征在于，具备：多个绝缘基板，其沿着在同一方向上延伸的多个电流路径排列配置；多个MOS晶体管，其经由第一导电层、第一焊料接合层搭载在多个所述绝缘基板的一个主面上；以及散热部件，其经由第二导电层、第二焊料接合层与全部的所述绝缘基板的另一个主面接触，其中，所述多个电流路径中的一个一个的电流路径在物理上隔开，并由搭载在不同的所述绝缘基板上的单个或多个所述MOS晶体管彼此串联连接而形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： NexFi技术株式会社 国立大学法人大阪大学 功率基板及具备该功率基板的高电压模块
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