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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀方法，在一等离子体处理腔内进行，包含步骤：提供待刻蚀器件，其包括基层、依次位于基层上的刻蚀材料层和掩膜层，掩膜层具有第一图形，第一图形暴露出刻蚀材料层的待刻蚀区域；施加第一低频偏置射频信号至处理腔以进行第一刻蚀工艺，在刻蚀材料层形成第二图形，第二图形的刻蚀深度为刻蚀材料层厚度的70％～98％；施加高频偏置射频信号至处理腔以进行第二刻蚀工艺，形成刻蚀深度大于或等于刻蚀材料层厚度的第三图形；施加第二低频偏置射频信号至处理腔以进行第三刻蚀工艺，形成贯穿刻蚀材料层和部分厚度的基层的第四图形；第三、第四图形底部的关键尺寸均达到预设的关键尺寸。本发明还提供一种等离子体刻蚀装置。
主权项：1.一种等离子体刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理腔内进行，其特征在于，包含如下步骤：提供待刻蚀器件，所述待刻蚀器件包括基层、依次位于所述基层上的刻蚀材料层和掩膜层，所述掩膜层具有第一图形，所述第一图形暴露出所述刻蚀材料层的待刻蚀区域；施加第一低频偏置射频信号至所述处理腔以进行第一刻蚀工艺，在所述刻蚀材料层形成第二图形，所述第二图形的刻蚀深度为刻蚀材料层厚度的70％～98％；施加高频偏置射频信号至所述处理腔以进行第二刻蚀工艺，形成刻蚀深度大于或等于刻蚀材料层厚度的第三图形；第三图形底部的关键尺寸达到预设关键尺寸；施加第二低频偏置射频信号至所述处理腔以进行第三刻蚀工艺，形成贯穿所述刻蚀材料层和部分厚度的所述基层的第四图形，第四图形底部的关键尺寸达到预设的关键尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体刻蚀方法和刻蚀装置
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