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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请提供一种提升套刻精度的方法，包括：步骤一，通过0层光刻工艺制备0层光刻胶图形；步骤二，通过0层刻蚀工艺在晶圆上制备OVLmark最终图形；步骤三，通过1层光刻工艺制备1层光刻胶图形；步骤四，对上述步骤制备出的完整OVLmark进行量测，获取OVL信息；步骤五，基于OVL信息提取套刻精度的特征分布，并进行高阶拟合生成高阶补正子程式；步骤六，判定两次量测的套刻精度的特征分布的差异是否超过卡控值，判定是，重新执行步骤五，判定否，执行步骤七；步骤七，将基于步骤五生成的高阶补正子程式上传机台，供产品曝光程式调用。提升因机台或工艺异常造成的套刻精度差的问题，减少对机台和产品维护的成本和难度。
主权项：1.一种提升套刻精度的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，通过0层光刻工艺制备0层光刻胶图形；步骤二，通过0层刻蚀工艺在晶圆上制备OVLmark最终图形；步骤三，通过1层光刻工艺制备1层光刻胶图形；步骤四，对通过上述步骤制备出的完整OVLmark进行量测，获取OVL信息；步骤五，基于所述步骤四获得的OVL信息提取套刻精度的特征分布，对所述特征分布进行高阶拟合生成高阶补正子程式；步骤六，判定两次量测的套刻精度的特征分布的差异是否超过卡控值，如果判定是，则重新执行所述步骤五，如果判定否，则执行步骤七；步骤七，将基于所述步骤五生成的高阶补正子程式上传机台，供产品曝光程式调用。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种提升套刻精度的方法
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