龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种光学芯片衬底及制备方法，包括功能层、第一氧化层、衬底层和第二氧化层，衬底层包括相互背离的第一表面和第二表面，第一氧化层位于功能层和第一表面之间，第二氧化层位于第二表面上；第一氧化层包括至少一层第一氧化薄膜，第一氧化薄膜是通过形成第一硅薄膜并热氧化后得到的；第二氧化层包括至少一层第二氧化薄膜，在形成第一氧化层的过程中，第二氧化薄膜是通过形成第二硅薄膜并热氧化后得到的。本申请的第二氧化层能够有效补偿第一氧化层和衬底层间的热应力，在加快第一氧化层和第二氧化层整体制备效率的同时，大大提升应力平衡性，有利于提升各层结构及光学芯片衬底整体的制备良率和最终光学芯片衬底的形貌精度。
主权项：1.一种光学芯片衬底，其特征在于，包括功能层、第一氧化层、衬底层和第二氧化层，所述衬底层包括相互背离的第一表面和第二表面，所述第一氧化层位于所述功能层和所述第一表面之间，所述第二氧化层位于所述第二表面上；所述第一氧化层包括至少一层第一氧化薄膜，所述第一氧化薄膜是通过形成第一硅薄膜并热氧化后得到的；所述第二氧化层包括至少一层第二氧化薄膜，在形成所述第一氧化层的过程中，所述第二氧化薄膜是通过形成第二硅薄膜并热氧化后得到的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新硅聚合半导体有限公司 一种光学芯片衬底及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号