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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSSAlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSSPentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITOPEDOT:PSSAlOxAl或结构为ITOPEDOT:PSSPentaceneAl的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。
主权项：1.一种导电聚合物基仿生忆阻器，其特征在于，所述导电聚合物基仿生忆阻器包括四层结构，从下至上依次为底电极、有机功能层、阻变层和顶电极金属Al，所述有机功能层为经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，所述阻变层为无机阻变层或有机阻变层中的一种；所述无机阻变层材料为非化学计量比氧化铝AlOx；所述有机阻变层材料为并五苯Pentacene；所述有机功能层内PEDOT与PSS的重量比为1:2.5；所述导电聚合物基仿生忆阻器的制备方法，通过如下步骤实现：S1:清洗、烘干以及臭氧预处理形成在衬底上的底电极；S2:利用溶液旋涂法在底电极上涂覆有机功能层并对该有机功能层进行热退火处理，形成稳定的有机功能层；S3:在有机功能层上制备无机阻变层或有机阻变层，其中：所述制备无机阻变层的方法为采用热原子沉积技术在有机功能层上进行制备；所述制备有机阻变层的方法为采用真空蒸发镀膜法在有机功能层上进行制备；S4:利用真空蒸发镀膜技术，通过蒸发金属并借助条状图形掩膜版，在步骤S3形成的有机阻变层或无机阻变层上制备顶电极，从而形成底电极有机功能层无机阻变层顶电极结构或者底电极有机功能层有机阻变层顶电极结构的基于PEDOT:PSS的电阻渐变忆阻器。
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权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法
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