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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文所描述实施方式涉及用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。在一个实施方式中，用于执行原子层工艺方法包括输送物质至处于第一温度的基板的表面，随后将基板的表面尖峰退火至第二温度以引发物质与基板的表面上的分子之间的反应。第二温度高于第一温度。通过重复输送及尖峰退火工艺，在基板的表面上形成共形层或对基板的表面执行共形蚀刻工艺。
主权项：1.一种处理腔室，包括：底部；侧壁；顶部，其中所述底部、所述侧壁及所述顶部界定处理区域；注射口，所述注射口形成于所述侧壁中并通往所述处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理区域中；温度控制元件，所述温度控制元件设置在所述基板支撑件中；闪热源，所述闪热源设置在所述基板支撑件上方，其中所述闪热源包括多个激光器；以及原子团气体源，所述原子团气体源耦接至所述注射口，其中所述温度控制元件被配置为将支撑在所述基板支撑件上的基板控制在第一温度，所述第一温度足够低，使得所述基板的表面与从所述原子团气体源经由所述注射口输送至所述处理区域的物质之间没有反应，并且所述闪热源被配置为执行尖峰退火工艺，所述尖峰退火工艺将所述基板的所述表面升高到高于所述第一温度的第二温度，从而在所述基板的所述表面上形成共形层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于3D共形处理的原子层处理腔室
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