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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种缺陷检测扫描程式建立方法及缺陷检测方法，在建立的真实晶圆图的基础上建立晶圆的扫描图，即两者在同一坐标系上，并在得到扫描图的的合并缺陷图后将合并缺陷图中的缺陷信息映射回对应于真实晶圆图中芯片的真实芯片缺陷图。从而在该缺陷检测扫描程式下可以检测到晶圆中真实芯片上的缺陷情况，而非合并扫描单位的缺陷情况，可直接获知芯片的缺陷情况，可以实现在真实晶圆图上作电子INK工作；还可实现真实芯片缺陷图与晶圆电性测试图和晶圆封装测试图的数据进行直接对比，计算真实芯片缺陷对晶圆电性性能和晶圆封装性能的杀伤力，从而及时解决工程中的主要问题，对良率迅速提升提供帮助。
主权项：1.一种缺陷检测扫描程式建立方法，其特征在于，所述缺陷检测扫描程式建立方法包括：将晶圆载入缺陷扫描机台中，并将所述晶圆与所述缺陷扫描机台进行对准；建立所述晶圆的晶圆图；基于所述晶圆图建立所述晶圆的扫描图，所述扫描图的扫描单位由至少两个芯片合并形成；确定对所述扫描图进行扫描的扫描参数；对所述晶圆进行试扫和阈值调整，得到对应于所述扫描图的合并缺陷图；将所述合并缺陷图中的缺陷信息映射回对应于所述晶圆图的真实芯片缺陷图中。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 缺陷检测扫描程式建立方法及缺陷检测方法
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