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申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
摘要：本发明提供了减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法、研磨方法与硅片，所述方法包括：在硅片进行单面研磨前进行清洁；所述清洁包括依次进行的清洗液超声清洗、清洗液清洗、保湿液清洗与慢提拉干燥，所述慢提拉干燥在静电消除装置中进行。本发明提供的方法中通过清洗液超声清洗实现了硅片表面吸附大颗粒的初步洗净；再通过依次进行的清洗液清洗与保湿液清洗，进一步实现了硅片表面沾污的大颗粒的清洗，并中和了硅片表面的电荷，避免了大颗粒的粘附；再通过在静电消除装置中进行慢提拉干燥，实现了中和环境中的离子电荷和硅片表面静电，进一步保证了硅片表面的洁净度并不再吸附大颗粒。
主权项：1.一种减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法，其特征在于，所述方法包括：在硅片进行单面研磨前进行清洁；所述清洁包括依次进行的清洗液超声清洗、清洗液清洗、保湿液清洗与慢提拉干燥，所述慢提拉干燥在静电消除装置中进行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海超硅半导体股份有限公司 重庆超硅半导体有限公司 减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法、研磨方法与硅片
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