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申请/专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
摘要：公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区，至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中，绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区；至少一个缓冲区，至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置，分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间，至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本发明实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响，减小了栅极电阻，降低了器件的开关损耗，提高了器件的可靠性。
主权项：1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，包括：绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区，所述至少一个快速恢复二极管区设置在所述绝缘栅双极型晶体管区中，所述绝缘栅双极型晶体管区包围所述至少一个快速恢复二极管区；至少一个缓冲区，所述至少一个缓冲区与所述至少一个快速恢复二极管区对应设置，分别位于所述至少一个快速恢复二极管区和所述绝缘栅双极型晶体管区之间，所述至少一个缓冲区分别包围所述至少一个快速恢复二极管区；其中，所述缓冲区的第二缓冲区中的沟槽结构包括：沿第一方向延伸的第一沟槽结构和沿第二方向延伸的第二沟槽结构，所述第一沟槽结构和第二沟槽结构围成至少一个第二环状沟槽结构，位于相邻所述缓冲区之间的所述绝缘栅双极型晶体管区中的沟槽结构与所述至少一个第二环状沟槽结构连接。
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