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申请/专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
摘要：本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：1对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；2根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。
主权项：1.一种无损且精确测定晶片各向应力的方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）对晶片进行XRD衍射测试，选择初始衍射晶面，得到初始衍射晶面的衍射峰，之后对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的衍射峰，将上述衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，得到每个衍射晶面下的总应变值εxy，其计算公式为： ，其中dhkl为任一测试晶面的实际晶面间距，d0hkl为任一测试晶面的理论晶面间距；（2）根据总应变值εxy和各向应变值的计算公式，获得晶片的各向应变值，所述衍射晶面的峰强度不低于20000cps，半高宽不大于100arcsec，所述各向应变值的计算公式为：εxy=cos2αsin2β×ε11+sin2αsin2β×ε12+cosαsin2β×ε13+sin2αsin2β×ε22+sinαsin2β×ε23+cos2β×ε33；其中，ε11为该测试点的第一正应变，ε22为该测试点的第二正应变，ε33为该测试点的第三正应变，ε12为该测试点的第一剪切应变，ε23为该测试点的第二剪切应变，ε13为该测试点的第三剪切应变，α为面内旋转角度，所述α的取值范围为0-180°，β为面间旋转角度，所述β的取值范围为0-90°，（3）根据计算得到的各向应变值和弹性常数，计算晶片的各向应力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海天岳半导体材料有限公司 一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法
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