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申请/专利权人：三菱化学株式会社
摘要：本发明提供c面的弯曲程度降低的块状GaN晶体。该块状GaN晶体具有选自相对于0001晶面倾斜0度以上且10度以下的面、及相对于000‑1晶面倾斜0度以上且10度以下的面中的主面，该主面是满足下述条件i及ii的特定主面A：i能够在该特定主面A上画出沿着第一方向延伸的长度80mm的假想线段、即第一线，且在该第一线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第一方向垂直而测定的该GaN晶体的002XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下；ii能够在该特定主面A上画出沿着与该第一方向垂直的第二方向延伸的长度80mm的假想线段、即第二线，且在该第二线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第二方向垂直而测定的该GaN晶体的002XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下。
主权项：1.一种块状GaN晶体，其具有选自相对于0001晶面倾斜0度以上且10度以下的面、及相对于000-1晶面倾斜0度以上且10度以下的面中的主面，该主面是满足下述条件i及ii的特定主面A：i能够在该特定主面A上画出沿着第一方向延伸的长度80mm的假想线段、即第一线，且在该第一线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第一方向垂直而测定的该GaN晶体的002XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下；ii能够在该特定主面A上画出沿着与该第一方向垂直的第二方向延伸的长度80mm的假想线段、即第二线，且在该第二线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第二方向垂直而测定的该GaN晶体的002XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下，其中，在所述特定主面A中除俯视时距外周的距离小于5mm的部分以外的部分所能够任意设定的所有2mm×2mm的假想区域中，位错密度小于1×105cm-2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱化学株式会社 块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法
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