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堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备 

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申请/专利权人:北京大学

摘要:本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中,制备方法包括:在衬底上形成有源结构,第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底;基于第一有源结构,形成第一晶体管,第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属;倒片并去除衬底,以暴露第二有源结构;基于第二有源结构,形成第二晶体管,第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属;其中,在形成第一源漏金属之前,形成第一绝缘层,第一绝缘层位于第一晶体管的第一栅极结构上,第一绝缘层用于隔离第一栅极结构与第一源漏金属;在形成第二源漏金属之前,形成第二绝缘层,第二绝缘层位于第二晶体管的第二栅极结构上,第二绝缘层用于隔离第二栅极结构与第二源漏金属。

主权项:1.一种堆叠晶体管的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上形成有源结构,所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构,所述第一有源结构相对于所述第二有源结构远离所述衬底;基于所述第一有源结构,形成第一晶体管,所述第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属;倒片并去除所述衬底,以暴露所述第二有源结构;基于所述第二有源结构,形成第二晶体管,所述第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属;其中,在形成所述第一源漏金属之前,形成第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的第一栅极结构上,所述第一绝缘层用于在形成所述第一源漏金属时,隔离所述第一栅极结构与所述第一源漏金属;在形成所述第二源漏金属之前,形成第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述第二晶体管的第二栅极结构上,所述第二绝缘层用于在形成所述第二源漏金属时,隔离所述第二栅极结构与所述第二源漏金属。

全文数据:

权利要求:

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