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申请/专利权人：苏州艾镁特电子有限公司
摘要：本实用新型公开了一种具有高抗压性能的肖特基二极管，包括半导体本体，所述半导体本体的底部一体定位有半导体衬底，所述半导体衬底上定位有阳极金属体与绝缘体，所述半导体本体的内部靠近顶端位置定位有导电类型JTE区，所述导电类型JTE区的内部设置有斜沟槽、第一导电材料与第二导电材料，所述半导体本体中一体定位有加强支撑框，所述半导体衬底中一体定位有防护外框。本实用新型所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度，提高其反向抗击穿能力，且同时增加半导体的使用强度，抗压性能更为优异，表面具有很好的保护效果，同时具有一定的屏蔽能力，更为实用。
主权项：1.一种具有高抗压性能的肖特基二极管，包括半导体本体（2），其特征在于：所述半导体本体（2）的底部一体定位有半导体衬底（1），所述半导体衬底（1）上定位有阳极金属体（5）与绝缘体（4），所述半导体本体（2）的内部靠近顶端位置定位有导电类型JTE区（3），所述导电类型JTE区（3）的内部设置有斜沟槽（6）、第一导电材料（7）与第二导电材料（8），所述半导体本体（2）中一体定位有加强支撑框（9），所述半导体衬底（1）中一体定位有防护外框（12）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州艾镁特电子有限公司 一种具有高抗压性能的肖特基二极管
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