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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日：2024-06-26
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN119314531A
专利技术分类：...应用晶体管的[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器，其中包括第一存储单元。第一存储单元包括：第一选择晶体管，第一跟随晶体管与第一反熔丝晶体管。第一选择晶体管的第一漏源端连接第一位线，第一选择晶体管的栅极端连接第一字线。第一跟随晶体管的第一漏源端连接至第一选择晶体管的第二漏源端，第一跟随晶体管的栅极端连接至第一跟随控制线。第一反熔丝晶体管包括：第一条鳍、第一栅极结构、第一漏源接触层与第二漏源接触层。第一栅极结构包括第一栅极介电层与第一栅极层，第一栅极层连接至第一反熔丝控制线。第一漏源接触层电连接至该第一条鳍的第一端与第一跟随晶体管的第二漏源端。第二漏源接触层电连接该第一条鳍的第二端。
专利权项：1.一种反熔丝型存储器，该反熔丝型存储器具有第一存储单元，该第一存储单元设计于半导体基板上，且该第一存储单元包括：第一选择晶体管，该第一选择晶体管的第一漏源端连接至第一位线，该第一选择晶体管的栅极端连接至第一字线；第一跟随晶体管，该第一跟随晶体管的第一漏源端连接至该第一选择晶体管的第二漏源端，该第一跟随晶体管的栅极端连接至第一跟随控制线；以及第一反熔丝晶体管，包括：第一条鳍；第一栅极结构，包括第一栅极介电层与第一栅极层；其中，该第一条鳍的中间区域上方与二侧边表面被该第一栅极介电层覆盖，该第一栅极介电层被该第一栅极层覆盖，该第一栅极层连接至第一反熔丝控制线；第一漏源接触层，电连接至该第一条鳍的第一端，且该第一漏源接触层连接至该第一跟随晶体管的第二漏源端；以及第二漏源接触层，电连接至该第一条鳍的第二端；其中，在编程动作时，该第一位线接收接地电压，该第一字线接收开启电压，该第一跟随控制线接收导通电压，该第一反熔丝控制线接收编程电压，该第一反熔丝晶体管中的该第一栅极介电层破裂使得该第一存储单元被编程为低电阻值的存储状态。
百度查询： 力旺电子股份有限公司 具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器
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