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龙图腾网恭喜深圳佳恩功率半导体有限公司申请的专利一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222320246U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420973786.4，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构是由王丕龙;王新强;谭文涛;杨玉珍设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种新型芯片正面覆银的SIC‑MOSFET结构，属于SIC‑MOSFET技术领域，该新型芯片正面覆银的SIC‑MOSFET结构具有主体、散热块、导热块；所述主体为方形结构，所述主体的上壁设置有多个凹槽，所述凹槽与凹槽之间的凸块为所述散热块；所述散热块上部分的截面为梯形，下部分截面为方形；所述主体的下壁开设有多个凹槽，所述凹槽的底面的截面为等腰梯形；所述散热块用于增大散热表面积；所述主体的左右侧壁均设置有六边形凸起；能够解决SIC‑MOSFET的底部接触面容易有热量的堆积，导致SIC‑MOSFET过热，不利于SIC‑MOSFET的正常工作的问题。

本实用新型一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构在权利要求书中公布了：1.一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构，其特征在于，具有主体1、散热块2、导热块3；所述主体1为方形结构，所述主体1的上壁设置有多个凹槽，所述凹槽与凹槽之间的凸块为所述散热块2；所述散热块2上部分的截面为梯形，下部分截面为方形；所述主体1的下壁开设有多个凹槽，所述凹槽的底面的截面为等腰梯形；所述散热块2用于增大散热表面积；所述主体1的左右侧壁均设置有六边形凸起；源极、栅极以及漏极分别设置在所述主体1的左侧壁，上侧壁以及右侧壁的中间位置处；所述主体1的上壁凹槽、下壁凹槽以及左右侧壁的六边形凸起表面均覆盖有银涂层；所述散热块2的上部分高度为所述散热块2总高度的12。

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