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龙图腾网恭喜中电科芯片技术(集团)有限公司申请的专利一种微差压式MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115285929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210871655.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种微差压式MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法是由李春洋;梅勇;袁宇鹏;张祖伟设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微差压式MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微差压式MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法，属于传感器技术领域。该压力传感器压敏芯片包括五层结构，即层一～层五；本发明提出的“岛‑膜‑梁耦合”型微差压传感器压敏芯片的结构特点包含，抑制挠度变形的多孔岛结构、八边圆弧形感压薄膜结构、应力集中十字形梁结构及高对称性压阻电路。该压敏结构沿自身中心的x、y轴呈轴对称，以实现受z轴方向上的压力时，压敏结构上的应力被诱导集中在感压薄膜上方的十字梁结构与多孔质量块岛结构及支撑边框结构的交接区域。

本发明授权一种微差压式MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微差压式MEMS压力传感器压敏芯片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1：利用热氧化工艺，在作为器件层的单晶硅片两面各沉积一层氧化硅，利用腐蚀工艺在硅片上表面氧化硅层上刻蚀出压阻结构（5），利用轻硼掺杂和浓硼掺杂工艺在硅片上表面制备出压敏电阻条和欧姆接触区，注入完成后采用快速退火RTP工艺对注入造成的晶格损伤进行修复；S2：利用等离子体气相沉积工艺PECVD在硅片硼掺杂压阻结构（5）一面上沉积形成氧化绝缘层，厚度为500nm；并利用刻蚀工艺在绝缘层上开出欧姆接触的电接触孔；再利用金属薄膜沉积工艺在绝缘层上沉积形成金属薄膜，并通过金属腐蚀工艺刻蚀形成金属互联引线（1），确保压阻结构（5）间形成电学互联；S3：利用腐蚀工艺在硅片上表面氧化硅层上刻蚀出梁结构（2）的图形轮廓，然后利用该氧化硅层作为掩膜，通过反应离子刻蚀RIE刻蚀硅形成梁结构（2），深度为4um；梁结构（2）为十字梁结构，梁结构（2）上表面设置两组压敏电阻条，两组压敏电阻条分别相对压敏芯片结构中心对称排布在梁结构（2）上应力集中区域内；第一组压敏电阻条长度方向垂直于芯片边框方向，第二组压敏电阻条长度方向平行于芯片边框方向；S4：利用腐蚀工艺在硅片下表面氧化硅层刻蚀出“感压薄膜（3）+岛结构（4）”的区域图形；感压薄膜（3）为八边形圆弧形感压薄膜结构；岛结构（4）为多孔质量块岛结构，岛结构（4）下方及四周为空腔结构，保证感压薄膜（3）与岛结构（4）在受压时能够自由形变；在刻蚀了“感压薄膜（3）+岛结构（4）”图形的氧化硅层表面再次喷涂光刻胶，显影形成岛结构（4）图形作为掩膜；利用反应离子深刻蚀DRIE工艺刻蚀硅，深度为岛结构（4）相应高度；最后去除剩余的光刻胶，露出“感压薄膜（3）+岛结构（4）”图形的氧化硅层；S5：以刻蚀了“感压薄膜（3）+岛结构（4）”图形的氧化硅层作为掩膜，再次使用反应离子深刻蚀DRIE体硅加工工艺在硅片底面上刻蚀“感压薄膜（3）+岛结构（4）”区域，形成目标尺寸的感压薄膜（3）和岛结构（4）；S6：去除硅片背面剩余氧化硅层，利用阳极键合工艺，在硅片背面键合作为玻璃基座（7）的玻璃片；玻璃基座根据要制备的压力传感器的应用类型来选择：若为差压类型，则在玻璃基座上加工通孔结构，保证感压薄膜背面与外界连通；若为绝压类型，则不加工通孔，通过高真空度阳极键合工艺完成感压薄膜背面与玻璃基座间真空压力参考腔的构建。

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