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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利一种硅光电倍增管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210717030.9，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种硅光电倍增管及其制备方法是由程传同;左金;张恒杰;黄北举;陈弘达设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅光电倍增管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，涉及光电传感器技术领域，尤其涉及单光子探测器技术领域。其中，该硅光电倍增管，包括。背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构；减反射层设置于第一类型外延硅衬底的上表面；电极设置于减反射层不覆盖第一类型外延硅衬底的上表面的区域；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。本公开可以在降低硅光电倍增管的工作电压的同时提高硅光电倍增管的光子探测效率。

本发明授权一种硅光电倍增管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光电倍增管，其特征在于，包括：背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，所述第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，所述第一类型硅衬底层设置于所述背电极的上表面，所述第一类型外延层设置于所述第一类型硅衬底层的上表面，所述至少一个第二类型重掺杂区设置于所述第一类型外延层的上表面，所述第一类型外延层和所述至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在所述第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构，所述第一类型外延硅衬底的上表面包括所述倒金字塔结构的上表面；所述减反射层设置于所述第一类型外延硅衬底的上表面，且不完全覆盖所述第一类型外延硅衬底的上表面；所述电极设置于所述减反射层不覆盖所述第一类型外延硅衬底的上表面的区域，且所述电极与所述第二类型重掺杂区连接；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种；其中，所述硅光电倍增管还包括：第二类型重掺杂层；所述第二类型重掺杂层包括所述至少一个第二类型重掺杂区，所述第一类型外延层包括至少一个第一类型重掺杂区，所述第一类型重掺杂区设置于所述第二类型重掺杂区的下表面，所述至少一个第一类型重掺杂区和所述至少一个第二类型重掺杂区形成所述至少一个立体PN结；所述第二类型重掺杂层的上表面为所述第一类型外延硅衬底的上表面，所述电极设置于所述第二类型重掺杂层中除第一类型重掺杂区之外的上表面，且所述电极通过所述第二类型重掺杂层与所述第二类型重掺杂区连接。

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