恭喜台湾积体电路制造股份有限公司荷尔本·朵尔伯斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成全环栅场效应晶体管的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010921491.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权形成全环栅场效应晶体管的方法和半导体器件是由荷尔本·朵尔伯斯;马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔;堤姆斯·文森设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成全环栅场效应晶体管的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：在形成全环栅场效应晶体管GAAFET的方法中，形成包括嵌入在半导体层中的CNT的鳍结构，在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，在鳍结构的源极漏极区处掺杂半导体层，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层形成源极漏极开口，以及在鳍结构的掺杂的源极漏极区上方形成源极漏极接触层。本发明的实施例还涉及具有场效应晶体管的半导体器件。
本发明授权形成全环栅场效应晶体管的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种形成全环栅场效应晶体管的方法，所述方法包括：形成鳍结构，所述鳍结构包括嵌入在半导体层中的碳纳米管；在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；掺杂所述鳍结构的源极漏极区处的所述半导体层；在掺杂的源极漏极区和所述牺牲栅极结构上方形成层间介电层；通过图案化所述层间介电层形成源极漏极开口；以及在所述鳍结构的所述掺杂的源极漏极区上方形成源极漏极接触层。
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