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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119335826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411867983.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法是由付中华;叶峻玮设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：确认光刻工艺的最小设计规格，并根据所述最小设计规格生成线宽量测图形；提供光罩，所述光罩包括芯片区域，所述芯片区域内分布有多个间距设置的所述线宽量测图形；通过光刻工艺将所述光罩中的所有所述线宽量测图形转移至晶圆上，以形成曝光单元，并量测每个所述曝光单元中所有所述线宽量测图形的线宽数据，并根据所述线宽数据对每个所述曝光单元内的临界尺寸均匀性进行补正，以改善晶圆内每个曝光单元内的临界尺寸均匀性，同时节省了切割道区域空间，有利于缩小切割道占用空间。

本发明授权一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：确认光刻工艺的最小设计规格，并根据所述最小设计规格生成线宽量测图形；提供光罩，所述光罩包括芯片区域和切割道区域，所述切割道区域围设在所述芯片区域外侧，所述芯片区域内分布有多个间距设置的所述线宽量测图形，其中，所述光罩具有器件图形和虚拟图形，所述虚拟图形用于填补器件图形以外的芯片区域的至少部分空白区域，所述虚拟图形包括所述线宽量测图形，所述线宽量测图形分散设置在多个空白区域中，使得在每个所述芯片区域，所有所述线宽量测图形分散设置在所述器件图形的周围；通过光刻工艺将所述光罩中的所有所述线宽量测图形转移至晶圆上，以形成曝光单元，并量测每个所述曝光单元中所有所述线宽量测图形的线宽数据，并根据所述线宽数据对每个所述曝光单元内的临界尺寸均匀性进行补正。

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