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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411606209.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构是由王棒;王厚有;刘西域;邹家丰;刘洋设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构。其中，所述方法包括：提供形成有第一接触孔刻蚀停止层的衬底，衬底上还形成有多个栅极结构；在第一接触孔刻蚀停止层上形成原始牺牲层，且对原始牺牲层进行部分改性处理，以使位于每个栅极结构顶部上方的原始牺牲层改性为改性牺牲层；对改性牺牲层和第一接触孔刻蚀停止层进行刻蚀，以使得位于改性牺牲层和每个栅极结构顶部之间的第一接触孔刻蚀停止层被保留、且形成补偿刻蚀停止层；在衬底上形成包含有第二接触孔刻蚀停止层和层间介电层的目标结构；在目标结构上形成接触孔。通过本申请的方案，改善接触孔制程过程中易出现栅极损伤以及层间介电层缝隙和孔洞等问题。

本发明授权半导体器件的接触孔的形成方法及半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有第一接触孔刻蚀停止层的衬底，其中所述衬底上还形成有多个栅极结构，所述第一接触孔刻蚀停止层位于所述栅极结构上方；在所述第一接触孔刻蚀停止层上形成原始牺牲层，且对所述原始牺牲层进行部分改性处理，以使位于每个所述栅极结构顶部上方的原始牺牲层改性为改性牺牲层；对所述改性牺牲层和所述第一接触孔刻蚀停止层进行刻蚀，以使得位于所述改性牺牲层和每个所述栅极结构顶部之间的第一接触孔刻蚀停止层被保留、且形成补偿刻蚀停止层，其中所述补偿刻蚀停止层的关键尺寸小于所述栅极结构的关键尺寸；在所述衬底上形成包含有第二接触孔刻蚀停止层和层间介电层的目标结构，其中所述第二接触孔刻蚀停止层的膜厚小于所述第一接触孔刻蚀停止层的膜厚；以及在所述目标结构上形成接触孔。

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