恭喜香港科技大学深圳研究院陈敬获国家专利权
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龙图腾网恭喜香港科技大学深圳研究院申请的专利有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111257719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010147952.1,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路是由陈敬;钟凯伦设计研发完成,并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路在说明书摘要公布了:本发明涉及有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路。该电压钳位电路,包括被测器件漏极连接有源钳位管漏极,有源钳位管源极连接钳位端X结点,被测器件的源极连接钳位端的Y结点,X结点通过二极管D1与Y结点之间并联电容C1、电阻R1和齐纳二极管D2,有源钳位管的栅极与被测器件的源极和钳位端Y结点的公共端之间并联电容C2和串联的电阻Rg、电源Vcc;有源钳位管的栅极施加固定栅极偏压Vcc,被测器件处于关态时,钳位端结点X和钳位端结点Y之间的电压VXY被钳位Vcc‑VTH,MT附近,当被测器件处于开态时,电压VXY跟随导通电压VDSON。
本发明授权有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路在权利要求书中公布了:1.一种有源MOSFET电压钳位电路,其特征在于,包括被测器件DUT、有源钳位管MT和无源器件,被测器件DUT漏极连接有源钳位管MT漏极,有源钳位管MT源极连接钳位端X结点,被测器件DUT的源极连接钳位端的Y结点,X结点通过二极管D1与Y结点之间并联电容C1、电阻R1和齐纳二极管D2,有源钳位管MT的栅极与被测器件DUT的源极和钳位端Y结点的公共端之间并联电容C2和串联的电阻Rg、电源Vcc1;有源钳位管MT的栅极施加固定栅极偏压Vcc2,被测器件DUT处于关态时,钳位端结点X和钳位端结点Y之间的电压VXY被钳位Vcc1-VTH,MT附近,当被测器件DUT处于开态时,电压VXY跟随导通电压VDSON。
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