恭喜三星电子株式会社尹柱宪获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体发光器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110085715B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811562995.5,技术领域涉及:H10H20/814;该发明授权半导体发光器件是由尹柱宪;金台勋;沈载仁设计研发完成,并于2018-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光器件在说明书摘要公布了:一种半导体发光器件,包括:发光结构,其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔;绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔;和反射电极层,其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
本发明授权半导体发光器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体发光器件,包括:发光结构,其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔;绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔;和反射电极层,其在所述绝缘反射层的第一区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层,其中,在平面图中,所述多个第一通孔和所述多个第二通孔在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上以格子形式布置,使得所述多个第一通孔在所述堆叠方向上不与所述多个第二通孔重叠,并且其中,所述多个第一通孔的总面积大于所述多个第二通孔的总面积。
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