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龙图腾网恭喜中山大学申请的专利宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114720769B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210362114.5，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置及方法是由刘扬;黎成章;王自鑫设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置及方法，装置包括动态特性测量电路模块以及数据采集模块；其中，所述动态特性测量电路模块用于向待测器件施加电压应力，进行动态特性测量；所述数据采集模块用于采集待测器件的电学参数；所述动态特性测量电路模块包括控制信号输出电路、电压应力施加电路以及钳位电路；其中，所述控制信号输出电路用于生成驱动信号控制所述电压应力施加电路的工作状态；所述电压应力施加电路用于对待测器件施加栅极电压应力以及漏极电压应力；所述钳位电路用于供所述数据采集模块采样待测器件的漏极与源极之间的导通电压降，获取待测器件的动态导通电阻。

本发明授权宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置，其特征在于，包括动态特性测量电路模块1以及数据采集模块2；其中，所述动态特性测量电路模块1用于向待测器件施加电压应力，进行动态特性测量；所述数据采集模块2用于采集待测器件的电学参数；所述动态特性测量电路模块1包括控制信号输出电路11、电压应力施加电路12以及钳位电路13；其中，所述控制信号输出电路11用于生成驱动信号控制所述电压应力施加电路12的工作状态；所述电压应力施加电路12用于对待测器件施加栅极电压应力以及漏极电压应力；所述电压应力施加电路12包括可编程电源、单刀双掷模拟开关芯片S1、单刀双掷模拟开关芯片S2，晶体管Q1、电感L、二极管D、电阻R、电容C1和高压电源VBUS；其中：所述单刀双掷模拟开关芯片S1的信号输入端的“2”端口连接所述可编程电源的输出端，信号输入端的“3”端口连接所述控制信号输出电路的输出引脚，信号输出端的“1”端口连接待测器件DUT的栅极；所述单刀双掷模拟开关芯片S2的信号输入端的“2”端口连接所述晶体管Q1的源极，信号输入端的“3”端口连接所述可编程电源的输出端，信号输出端的“1”端口连接待测器件DUT的漏极；所述电感L的左端连接所述晶体管Q1的漏极，右端连接所述高压电源VBUS的正极；所述二极管D的阳极连接所述电感L的左端，阴极连接所述电感L的右端；所述电阻R的左端连接待测器件DUT的源极，右端连接所述高压电源VBUS的负极；所述电容C1的上端连接所述高压电源VBUS的正极，下端连接所述高压电源VBUS的负极；所述钳位电路13用于供所述数据采集模块2采样待测器件的漏极与源极之间的导通电压降，获取待测器件的动态导通电阻。

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