恭喜台湾积体电路制造股份有限公司朱景升获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010511577.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件结构及其形成方法是由朱景升;徐晨祐设计研发完成，并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本揭露的各种实施例涉及一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括上覆在结合垫上的凸块结构。结合垫设置在半导体衬底之上。刻蚀停止层上覆在结合垫上。缓冲层设置在结合垫之上且将刻蚀停止层与结合垫隔开。凸块结构包括基部部分及上部部分，基部部分接触结合垫的上表面，上部部分延伸穿过刻蚀停止层及缓冲层。凸块结构的基部部分具有第一宽度或直径且凸块结构的上部部分具有第二宽度或直径。第一宽度或直径大于第二宽度或直径。
本发明授权半导体器件结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，包括：结合垫，设置在半导体衬底之上；刻蚀停止层，上覆在所述结合垫上；缓冲层，设置在所述结合垫之上且将所述刻蚀停止层与所述结合垫隔开；以及凸块结构，包括基部部分及上部部分，所述基部部分接触所述结合垫的上表面，所述上部部分延伸穿过所述刻蚀停止层及所述缓冲层，其中所述凸块结构的所述基部部分具有第一宽度或直径且所述凸块结构的所述上部部分具有第二宽度或直径，所述第一宽度或直径大于所述第二宽度或直径，其中所述基部部分及所述上部部分是单一导电结构且包括相同的导电材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(邮递区号30078)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号