恭喜三星电子株式会社洪俊九获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有掩埋电源轨的集成电路及制造集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010294764.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有掩埋电源轨的集成电路及制造集成电路的方法是由洪俊九;徐康一;马克·罗德尔设计研发完成，并于2020-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有掩埋电源轨的集成电路及制造集成电路的方法在说明书摘要公布了：提供了具有掩埋电源轨的集成电路和制造集成电路的方法。所述方法包括：在第一半导体基底的上表面上形成第一介电层；在第一介电层的上表面中形成多个电源轨沟槽；在多个电源轨沟槽中形成掩埋电源轨；在第一介电层的上表面和掩埋电源轨的上表面上形成第二介电层；在供体晶圆上形成第三介电层；将第三介电层结合到第二介电层；以及在供体晶圆上或在供体晶圆中形成多个有源半导体器件、过孔和金属互连件。掩埋电源轨被第一介电层和第二介电层包封，并且掩埋电源轨在多个有源半导体器件下方。
本发明授权具有掩埋电源轨的集成电路及制造集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造具有掩埋电源轨的集成电路的方法，所述方法包括以下步骤：在第一半导体基底的上表面上形成第一介电层；在第一介电层的上表面中形成多个电源轨沟槽；在所述多个电源轨沟槽中形成掩埋电源轨；在第一介电层的上表面和掩埋电源轨的上表面上形成第二介电层；在供体晶圆上形成第三介电层；在供体晶圆上形成第三介电层的步骤之后将第三介电层结合到第二介电层；以及在供体晶圆上或在供体晶圆中形成多个有源半导体器件、过孔和金属互连件，其中，掩埋电源轨被第一介电层和第二介电层包封，并且其中，掩埋电源轨在所述多个有源半导体器件下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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