苏州龙驰半导体科技有限公司彭地森获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411555581.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管是由彭地森设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管，包括：衬底、外延层、漏极；沟槽型栅，沟槽型栅位于外延层内部分的最外层为第一掺杂类型的层结构；两个源区深槽，形成在沟槽型栅的两侧且与沟槽型栅间隔设置，源区深槽的下表面低于沟槽型栅的下表面；两个第一掺杂类型的源区，分别自两个源区深槽的下表面向下形成；两个第二掺杂类型的沟道区，两个沟道区分别连接在沟槽型栅的两侧；两个第一掺杂类型欧姆接触区，形成在两个源区之上，且同侧的第一掺杂类型欧姆接触区和沟道区连接；所述源区和所述外延层位置中位于两个源区之间的结构形成PN结。本申请解决了传统的沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管的漏电较大的技术问题。
本发明授权沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底（10）、形成在衬底之上的外延层、形成在衬底背侧的漏极（11）；沟槽型栅，自所述外延层的上表面向下形成，所述沟槽型栅位于外延层内部分的最外层为第一掺杂类型的层结构；两个源区深槽，分别形成在所述沟槽型栅的两侧且与所述沟槽型栅间隔设置，所述源区深槽的下表面低于所述沟槽型栅的下表面；两个第一掺杂类型的源区（7），分别自两个所述源区深槽的下表面向下形成；两个第二掺杂类型的沟道区（3），两个所述沟道区（3）分别连接在所述沟槽型栅的两侧；两个第一掺杂类型欧姆接触区（2），分别形成在两个所述源区（7）之上，且同侧的第一掺杂类型欧姆接触区（2）和沟道区（3）连接；其中，所述源区（7）和所述外延层位置中位于两个源区（7）之间的结构形成PN结。
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