买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司申请的专利一种晶圆片外延层加工的补液方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116005131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310005533.8，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种晶圆片外延层加工的补液方法是由陈渊凌;罗晖;李果;谭永麟;孙晨光;王彦君设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆片外延层加工的补液方法在说明书摘要公布了：一种晶圆片外延层加工的补液方法，包括：生长端，其构置有生长炉；辅助端，其构置有主腔室、次腔室、以及辅腔室；步骤包括：相邻两个晶圆片之间的加工过程中，当上一个晶圆片外延层加工结束时，由生长端持续向主腔室发出补液信号，辅助端判断主腔室是否需要补液；若不需要补液，等待下一个晶圆片外延层加工；若需要补液，向主腔室添加溶液；其中，在不需要补液时，保持生长炉与主腔室贯通、以及主腔室与次腔室贯通。本方法可保证外延晶圆片炉间压力波动由现有的±1.5psi控制在±0.2psi，且使外延晶圆片炉间均匀性由原来的＞1.0％优化至＜0.5％，收敛了外延晶圆片炉间波动性，提高了外延层的成膜质量，炉间成膜效果显著，炉间重复性良好，提高生产效率。

本发明授权一种晶圆片外延层加工的补液方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆片外延层加工的补液方法，包括：生长端，用于晶圆片外延层生长，其构置有生长炉；辅助端，用于向生长端提供生长气体，其构置有存储生长气体的主腔室、向主腔室提供氢气的次腔室、以及向主腔室提供TCS的辅腔室；其特征在于，步骤包括：相邻两个晶圆片之间的加工过程中，当上一个晶圆片外延层加工结束时，由生长端持续向主腔室发出补液信号，辅助端判断主腔室是否需要补液；若不需要补液，等待下一个晶圆片外延层加工；若需要补液，向主腔室添加溶液；其中，在不需要补液时，保持生长炉与主腔室贯通、以及主腔室与次腔室贯通；生长端向辅助端发出补液信号，当主腔室中TCS的液面处于低液位时，监控液位的传感器会直接传递给辅助端的控制器二中，则控制器二基于预设的判断条件，直接判断主腔室中需要补液；当主腔室中TCS的液面处于高液位时，监控液位的传感器会直接将液位传递给控制器二中，则控制器二基于预设的判断条件，直接判断无需向主腔室中进行补液；当需要补液时，包括：主腔室收到补液信号ON之后，延时0.1-0.3s，连通辅腔室与主腔室开始补液，并停止在主腔室内鼓泡；补液时，按照预设的补液信号和泄压信号，交替地进行操作，直至主腔室中的TCS液面达到高液位；当主腔室收到补液信号OFF之后，延时0.1-0.3s，控制主腔室开始鼓泡，并停止补液；直至下一个晶圆片的外延层加工工艺开始。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司，其通讯地址为：300384 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。