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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种光学邻近校正建模方法及其系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411824008.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光学邻近校正建模方法及其系统是由姚淼红;徐世斌;张馨元;颜哲钜;李翰轩;高大为;吴永玉;任堃设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光学邻近校正建模方法及其系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种光学邻近校正建模方法及其系统。本发明通过获取相同版图图形针对不同光刻胶厚度的多个膜层数据，利用多个膜层数据以及光源信息预先建立不同的光学模型；根据测量数据中的光刻胶厚度选择对应的光学模型；由选择的光学模型以及光阻模型、光罩模型构建光刻模型；通过光学模型参数、光阻模型参数、光罩模型参数的取值范围内进行随机取值，生成多个参数组合；使用多个参数组合通过仿真软件对光刻模型进行光刻仿真，评估不同参数组合下的光刻效果，筛选出最优参数组合。本发明采用在膜层结构中不同区域引入不同光学模型，降低后续OPC补修概率，提高半导体制造的精度和效率。

本发明授权一种光学邻近校正建模方法及其系统在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近校正建模方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤S1、在同一个版图图形的膜层结构中，前层结构由于光刻胶层是在有源区和多晶硅层上方进行覆盖，导致不同区域光刻胶厚度不同，获取在一个膜层结构中前层不同区域的不同光刻胶厚度的多个膜层数据，利用多个膜层数据以及光源信息预先建立不同的光学模型；其中，所述膜层数据包括膜层结构组成以及每层膜层的厚度、折射率、消光系数；步骤S2、获取测量数据；根据测量数据中的光刻胶厚度选择对应的光学模型；由选择的光学模型以及光阻模型、光罩模型构建光刻模型；步骤S3、确定光学模型参数、光阻模型参数、光罩模型参数的取值范围，通过在所述取值范围内的各参数进行随机取值，生成多个参数组合；不同参数组合包含的光学模型参数数值、光刻模型参数、光罩模型参数互不相同；步骤S4、使用多个参数组合通过仿真软件对步骤S2构建的光刻模型进行光刻仿真，评估不同参数组合下的光刻效果，筛选出最优参数组合，得到所需的模型参数。

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