买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115972079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211641306.6，技术领域涉及：B24B37/10；该发明授权用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法是由成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，将CMP设备停止冲洗并擦拭干净；在CMP设备的head头的外表面设置UV隔热膜；除pad、研磨液喷头和去离子水喷头外，CMP设备中其它直接裸露部件的外表面均设置UV保护膜；减薄抛光时，将排风扇调至最大风速；对含异种金属的晶圆减薄抛光时，利用UV灯对UV隔热膜和UV保护膜进行照射，使其失去粘性并撕掉，更换减薄抛光垫并重新贴膜。本发明采用UV隔热膜和UV保护膜进行保护，使得在进行含不同金属的晶圆减薄抛光时，只需要更换UV隔热膜和UV保护膜即可，不会出现因CMP设备自身残留吸附的金属粒子而导致将要进行减薄抛光的异种晶圆受到其它金属离子污染的现象，避免了晶圆出现缺陷甚至功能损失的情况。

本发明授权用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将CMP设备停止冲洗，并采用无尘布将其擦拭干净；S2、在所述CMP设备的head头的外表面设置UV隔热膜；除pad、研磨液喷头和去离子水喷头外，所述CMP设备中其它直接裸露部件的外表面均设置UV保护膜；S3、所述CMP设备对晶圆减薄抛光时，将排风扇调至最大风速；S4、对含异种金属的晶圆减薄抛光时，利用UV灯对所述UV隔热膜和所述UV保护膜进行照射，使其失去粘性并撕掉，更换减薄抛光垫并重复S2；所述CMP设备对晶圆减薄抛光前还包括金属含量检测，具体过程如下：将纯净的测试晶圆在所述CMP设备减薄抛光，利用HF气体将所述测试晶圆的表面进行腐蚀，再将去离子水滴在所述测试晶圆的中心位置，将所述测试晶圆进行自转，使离子水由所述测试晶圆的中心位置移动至所述测试晶圆的边缘位置，收集离子水并检测金属含量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，其通讯地址为：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。