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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括应力均衡芯片的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110718541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910119871.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权包括应力均衡芯片的半导体封装件是由金一浩设计研发完成，并于2019-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括应力均衡芯片的半导体封装件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括具有竖直地堆叠在封装件衬底上的多个半导体芯片的芯片堆叠件。应力均衡芯片布置在所述芯片堆叠件上，所述应力均衡芯片构造为提供减小所述多个半导体芯片之间的电特性的变化。密封剂布置在所述封装件衬底上，并且被构造为覆盖所述芯片堆叠件的至少一部分。所述多个半导体芯片中的每一个电连接至所述封装件衬底。所述应力均衡芯片不电连接至所述衬底或所述多个半导体芯片。

本发明授权包括应力均衡芯片的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括：芯片堆叠件，其具有竖直地堆叠在封装件衬底上的多个半导体芯片；应力均衡芯片，其布置在所述芯片堆叠件上，所述应力均衡芯片构造为减小所述多个半导体芯片之间的电特性的变化；以及密封剂，其布置在所述封装件衬底上，并且被构造为覆盖所述芯片堆叠件的至少一部分，其中，所述多个半导体芯片中的每一个电连接至所述封装件衬底，并且所述应力均衡芯片不电连接至所述封装件衬底或所述多个半导体芯片,其中，所述多个半导体芯片中的每一个包括至少一个应力敏感区；其中，所述多个半导体芯片包括下半导体芯片和布置在所述下半导体芯片上的上半导体芯片，并且所述上半导体芯片与所述下半导体芯片的所述至少一个应力敏感区重叠，其中，所述多个半导体芯片包括布置在所述芯片堆叠件的最上层处的最上面的半导体芯片；并且所述应力均衡芯片与所述最上面的半导体芯片的所述至少一个应力敏感区重叠，并设置在所述最上面的半导体芯片上且在它们之间没有形成任何其它半导体芯片，并且其中，所述应力均衡芯片的中心不与所述最上面的半导体芯片的中心对齐。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。