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龙图腾网恭喜中建八局检测科技有限公司申请的专利一种基于隧道效应的Ni/Fe3O4复合纳米三维阵列应变传感器制备方法及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119826676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510310048.0，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权一种基于隧道效应的Ni/Fe3O4复合纳米三维阵列应变传感器制备方法及传感器是由王鹏宇;李辉;刘小飞;刘瑞金;刘文道;王猛;王贵喜;徐莉设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于隧道效应的Ni/Fe3O4复合纳米三维阵列应变传感器制备方法及传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于隧道效应的NiFe3O4复合纳米三维阵列应变传感器制备方法及传感器，该制备方法包括步骤：通过匀胶机制备PDMS基底层；使用喷金仪在PDMS基底层上喷涂一定厚的纳米Pt粒子导电层；在PDMS基底层蒸镀粘贴铜导带作为电极；沉积镍纳米线；在喷涂有纳米Pt电子层的PDMS基底层表面沉积镍纳米线阵列，在PDMS基底层宽度方向上，将镍纳米线阵列沉积位置偏离中轴线；在镍纳米线阵列表面生长Fe3O4纳米颗粒以形成NiFe3O4复合纳米三维阵列传感层；封装NiFe3O4复合纳米三维阵列应变传感层。本申请具有可响应三重各向异性应变信号，具有精准的解耦特性，具备多维应变幅度和方向的检测能力。

本发明授权一种基于隧道效应的Ni/Fe3O4复合纳米三维阵列应变传感器制备方法及传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于隧道效应的NiFe3O4复合纳米三维阵列应变传感器制备方法，其特征在于，包括步骤：通过匀胶机制备PDMS基底层；使用喷金仪在PDMS基底层上喷涂30-80nm厚的纳米Pt粒子导电层；在PDMS基底层长度方向两端蒸镀粘贴铜导带作为电极；通过电化学沉积法制备排列有序的镍纳米线；在喷涂有纳米Pt粒子导电层的PDMS基底层表面沉积有序的镍纳米线阵列，在PDMS基底层宽度方向上，将镍纳米线阵列沉积位置偏离中轴线；在镍纳米线阵列表面生长Fe3O4纳米颗粒以形成NiFe3O4复合纳米三维阵列传感层；封装NiFe3O4复合纳米三维阵列应变传感层：选用热塑性聚酰亚胺树脂作为原料，添加增塑剂、稳定剂进行混合，混炼熔融后通过铸膜法制备TPI薄膜，将TPI薄膜置于NiFe3O4复合纳米三维阵列传感层上，进行热压焊接以使TPI薄膜与NiFe3O4复合纳米三维阵列传感层粘结密封；通过电化学沉积法制备镍纳米线的步骤包括：选用具有规则孔径的阳极氧化铝膜作为沉积模板，在真空溅射腔室内对阳极氧化铝膜背面溅射一层金属背电极，溅射时间为5-20min，溅射功率为60-250W；配制浓度一定的镍离子电解质溶液，并将阳极氧化铝膜置于镍离子电解质溶液中，通入恒电流进行电化学沉积，将沉积完成的镍纳米线的阳极氧化铝膜浸入5-10％质量分数的NaOH溶液中，在60-80℃条件下静置2.5-7h，直至阳极氧化铝膜完全溶解，以获得镍纳米线，将镍纳米线进行清洗并置于无水乙醇中，采用超声将镍纳米线均匀分散制成悬浮液；所述在喷涂有纳米Pt粒子导电层的PDMS基底层表面沉积有序的镍纳米线阵列，在PDMS基底层宽度方向上，将镍纳米线阵列沉积位置偏离中轴线的步骤包括：将双通聚甲基丙烯酸甲酯方盒容器置于PDMS基底层上，并将接触部分密封，之后放于平行磁场中，磁场方向与PDMS基底层宽度方向一致，用移液管将均匀分散的镍纳米悬浮液移至双通聚甲基丙烯酸甲酯方盒容器内静置，以在PDMS基底上沉积出高度有序的镍纳米线阵列。

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