恭喜英特尔公司V·H·勒获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于晶体管的栅极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110383490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780087753.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权用于晶体管的栅极是由V·H·勒;A·A·夏尔马;R·皮拉里塞泰;G·W·杜威;S·希瓦拉曼;T·A·特罗尼克;S·加德纳;T·加尼设计研发完成，并于2017-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于晶体管的栅极在说明书摘要公布了：公开了用于一种设备的衬底、组件和技术，其中所述设备包括：栅极，其中，栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；栅极上的栅极电介质，其中栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中第一电介质邻接第一栅极侧、第一栅极电介质侧、第二栅极侧和第二栅极电介质侧；沟道，其中栅极电介质在沟道和栅极之间；与沟道耦合的源极；以及与沟道耦合的漏极，其中第一电介质邻接源极和漏极。在示例中，第一电介质和栅极电介质有助于使栅极与沟道、源极和漏极绝缘。
本发明授权用于晶体管的栅极在权利要求书中公布了：1.一种设备，包括：栅极，其中，所述栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；所述栅极上的栅极电介质，其中，所述栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与所述第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中，所述第一电介质邻接所述第一栅极侧、所述第一栅极电介质侧、所述第二栅极侧和所述第二栅极电介质侧；沟道，其中，所述栅极电介质在所述沟道和所述栅极之间；与所述沟道耦合的源极；与所述沟道耦合的漏极，其中，所述第一电介质邻接所述源极和所述漏极；以及处于所述第一电介质的一部分和所述源极之间的第二电介质。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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