恭喜三星电子株式会社索加塔·达斯普卡雅斯塔获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113721834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011479558.4,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置是由索加塔·达斯普卡雅斯塔设计研发完成,并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置在说明书摘要公布了:本文的实施例公开了一种管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置。所述方法包括:由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰。所述方法还包括:由所述NAND控制器针对每个开放块,将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器DRAM中,用于对所述字线进行编程,以及或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中,用于对所述超级页面进行编程。所述方法可以用于管理用于NAND页面加扰的种子值,这可以降低保持影响。结果,可以减少用于NAND单元的保持回收,这可以提高耐久性。
本发明授权管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置在权利要求书中公布了:1.一种管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值的方法,所述方法包括:由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的加扰数据,所述加扰数据是对输入数据进行第一加扰的结果;以及在所述第一加扰之后,由所述NAND控制器将以下至少一项高速缓存在动态随机存取存储器DRAM中:针对所述DRAM中的每个开放块的、用于对所述字线进行编程的、所述NAND存储器中的先前字线的上一次写入数据,或用于对超级页面进行编程的所述上一次写入数据的先前超级页面。
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