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龙图腾网恭喜松下知识产权经营株式会社申请的专利电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080096277.2，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法是由置田尚吾;伊藤彰宏;针贝笃史设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法在说明书摘要公布了：电子部件的清洁方法具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。据此，能在减少给电子部件带来的伤害的同时清洁侧壁。

本发明授权电子部件的清洁方法以及元件芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子部件的清洁方法，具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存，进行所述侧壁清洁工序，以使得所述沉积工序中所述第1膜沉积于所述侧壁的表面的速度RD2相对于所述第1膜沉积于所述保护膜的表面的速度RD1的比RD2RD1、和所述去除工序中去除附着于所述侧壁的所述第1膜的速度RR2相对于去除所述保护膜的表面的所述第1膜的速度RR1的比RR2RR1满足RR2RR1RD2RD1的关系。

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