恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种双深度沟槽的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429961.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种双深度沟槽的制作方法是由陈兴设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双深度沟槽的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双深度沟槽的制作方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该方法首先在衬底和硬掩膜层中至少制作出两个深度相同，但宽度不同的沟槽，分别为窄深沟槽和宽浅沟槽，然后依次在硬掩膜层上制作出第一牺牲层和保护层，该过程中，窄深沟槽通过第一牺牲层封口；去除窄深沟槽的封口结构和内部的第一牺牲层时，保护层能够对宽浅沟槽进行保护；进一步将窄深沟槽进行深度扩展形成目标深度，并去除宽浅沟槽内部的材料，形成双深度沟槽。采用本发明的方法，可以仅使用一张光罩同时制作出深度不同的窄深沟槽和宽浅沟槽，显著降低了制作背照式图像传感器的成本。
本发明授权一种双深度沟槽的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双深度沟槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上制作硬掩膜层； 在衬底和硬掩膜层中至少制作出两个相同深度的沟槽，分别为第一过程窄深沟槽和第一过程宽浅沟槽；同一平面上，所述第一过程窄深沟槽的横截面积小于第一过程宽浅沟槽的横截面积； 在第一过程窄深沟槽表面和第一过程宽浅沟槽表面制作第一牺牲层，形成第二过程窄深沟槽和第二过程宽浅沟槽；所述第二过程窄深沟槽的上端为封口结构，内部为空腔； 在第一牺牲层上制作保护层，所述保护层将第二过程宽浅沟槽的内侧壁覆盖； 去除部分硬掩膜层，所述封口结构被去除，所述第二过程窄深沟槽上端开口； 去除第二过程窄深沟槽中的第一牺牲层，将第二过程窄深沟槽加工为目标窄深沟槽的深度，去除第二过程宽浅沟槽中的保护层； 去除剩余硬掩膜层后形成目标窄深沟槽和目标宽浅沟槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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