恭喜华虹半导体(无锡)有限公司丁浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利闪存器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111344997.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件的制造方法是由丁浩;熊伟;陈华伦设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存器件的制造方法，包括以下步骤：硅衬底上方制作形成浮栅多晶硅、控制栅多晶硅；在控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层；制作字线多晶硅和氮化硅本发明在制作控制栅多晶硅后在CG表面氧化一层氧化层，该氧化层作为阻挡层保护CG不被H3PO4腐蚀，从而避免浮栅多晶硅残留，以解决闪存期间的单比特无法擦写的问题。
本发明授权闪存器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 硅衬底上方制作形成浮栅多晶硅、控制栅多晶硅； 在所述控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层； 制作字线多晶硅和氮化硅； 去除存储单元区域的所述氮化硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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