买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113795908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033975.8，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法是由M·古普塔;程睿;S·古格吉拉;K·嘉纳基拉曼;D·N·凯德拉亚;黄祖滨设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法在说明书摘要公布了：提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺牲结构层上产生粗略光刻胶轮廓。所述方法还包括：用等离子体修整光刻胶以产生覆盖牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露牺牲结构层的第二部分；蚀刻牺牲结构层的第二部分以形成设置在基板上的图案化特征；以及在图案化特征上沉积介电层。

本发明授权用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于处理基板的方法，包括： 在所述基板上沉积牺牲结构层； 在所述牺牲结构层上沉积光刻胶； 图案化所述光刻胶以在所述牺牲结构层上产生粗略的光刻胶轮廓； 用等离子体修整所述光刻胶，以产生覆盖所述牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露所述牺牲结构层的第二部分； 蚀刻所述牺牲结构层的所述第二部分，以形成设置在所述基板上的图案化特征； 在所述图案化特征的上表面和侧表面上、以及在所述基板的上表面上并与所述基板的所述上表面接触地沉积介电层； 各向异性地蚀刻所述介电层的一部分，包括： 移除所述图案化特征的所述上表面上的所述介电层； 移除所述基板的所述上表面上的所述介电层；以及 留下所述侧表面上的所述介电层的至少一部分，其中所述侧表面上的所述介电材料的所述部分形成设置在所述基板的所述上表面上的侧壁间隔件；以及 移除所述图案化特征，同时留下设置在所述基板的所述上表面上并与所述基板的所述上表面接触的所述侧壁间隔件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。