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盛合晶微半导体(江阴)有限公司尹佳山获国家专利权

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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利重新布线层的制备方法及其结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113284812B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010105905.0,技术领域涉及:H01L21/60;该发明授权重新布线层的制备方法及其结构是由尹佳山;周祖源;吴政达;林正忠设计研发完成,并于2020-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

重新布线层的制备方法及其结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构,该方法包括:于支撑基底上形成扩散阻挡层及金属种子层;于金属种子层上形成具有填充窗口的光刻胶层;于金属种子层上形成金属线层;于金属线层上形成至少两层缓冲层,每层缓冲层的表面具有孔隙,且相邻两层缓冲层表面孔隙的位置不相同;去除光刻胶层、金属种子层和扩散阻挡层;将保护层电性引出。通过电镀工艺形成至少两层缓冲层,有效提高了叠层结构的连续性,同时提高了保护层的连续性,保证叠层结构与保护层之间的粘合力,提高了重新布线层的稳定性能;在后续的打线工艺中,叠层结构与保护层之间不易出现剥离现象,提高了重新布线层的产品良率。

本发明授权重新布线层的制备方法及其结构在权利要求书中公布了:1.一种重新布线层的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括以下步骤: 提供支撑基底,并于所述支撑基底上依次形成扩散阻挡层及金属种子层; 于所述金属种子层上涂覆光刻胶层,并通过曝光、显影工艺于所述光刻胶层形成填充窗口; 采用电镀工艺于所述填充窗口的所述金属种子层上形成金属线层; 采用电镀工艺于所述金属线层上依次形成至少两层缓冲层的叠层结构,每层所述缓冲层的表面具有延伸至其内部的多个孔隙,且相邻两层所述缓冲层表面的所述孔隙的位置不相同;其中,相邻两层所述缓冲层采用的电镀工艺的电镀参数不同,以使相邻两层所述缓冲层表面的所述孔隙的位置不相同; 采用电镀工艺于所述叠层结构上形成保护层; 去除所述光刻胶层,并去除未被所述金属线层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层; 将键合线与所述保护层键合,进行电引出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人盛合晶微半导体(江阴)有限公司,其通讯地址为:214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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