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龙图腾网获悉LG电子株式会社申请的专利太阳能电池制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113302747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080008582.1，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权太阳能电池制备方法是由张元宰;金圣辰;都荣九;郑柱和;安俊勇;曹海宗;高智洙设计研发完成，并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。

本发明授权太阳能电池制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤: 多晶硅层形成操作，其在包括基区的由单晶硅材料形成的半导体基板的背表面上、侧表面上以及前表面的边缘部分处形成包含第一掺杂剂的多晶硅层； 前表面纹理化操作，其对所述半导体基板的所述前表面进行纹理化，并且同时去除形成于所述半导体基板的所述前表面上的所述多晶硅层以及所述侧表面上的部分所述多晶硅层； 第二导电区形成操作，其在所述半导体基板的所述前表面上扩散第二掺杂剂以形成第二导电区； 钝化层形成操作，其在形成于所述半导体基板的所述背表面上的所述多晶硅层上形成第一钝化层，并且在所述半导体基板的所述前表面上的所述第二导电区上形成第二钝化层；以及 电极形成操作，其形成穿过所述第一钝化层连接至所述多晶硅层的第一电极并且在所述第二导电区形成穿过所述第二钝化层的第二电极， 其中，通过湿蚀刻执行所述前表面纹理化操作，在所述湿蚀刻中，在所述半导体基板的所述前表面与局部浸入纹理化蚀刻溶液的辊接触的状态下，当所述辊旋转时，存在于所述辊的表面上的所述纹理化蚀刻溶液蚀刻所述半导体基板的所述前表面，以在所述半导体基板的所述前表面上形成纹理化的凹陷部和突出部，存在于所述辊的表面上的所述纹理化蚀刻溶液刻蚀形成于所述半导体基板的所述侧表面上的部分所述多晶硅层。

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