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申请/专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

摘要：本发明提供一种IQC设备及金属掩膜片的展平方法。该IQC设备包括载台以及设于所述载台下方的展平单元；所述载台用于承载金属掩膜片；该金属掩膜片在载台上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元用于通过磁力将金属掩膜片卷曲的部分向靠近载台的方向吸附，以展平金属掩膜片，达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片，后续可以精确量测金属掩膜片入料的尺寸精度，提高入料检测品质管理准确度，还可以将相同尺寸精度的金属掩膜片统一张网，实现分类张网，可以提升金属掩膜片张网后的像素位置精度至少1um，从而降低OLED产品的子像素间距，提升产品竞争力。

主权项：1.一种IQC设备，其特征在于，包括：载台10以及设于所述载台10下方的展平单元20；所述载台10用于承载金属掩膜片30；该金属掩膜片30在载台10上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元20用于通过磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30；还包括设于所述载台10上方的量测单元40，该量测单元40用于量测展平后的金属掩膜片30的尺寸；所述展平单元20包括相邻的第一电磁块单元21及第二电磁块单元22；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均连接的控制单元70；所述控制单元70用于控制第一电磁块单元21从载台10的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元22从载台10的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。

全文数据：IQC设备及金属掩膜片的展平方法技术领域本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种IQC设备及金属掩膜片的展平方法。背景技术有机发光二极管显示装置OrganicLightEmittingDisplay，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡ITO电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。PDLGap子像素间距是OLED产品竞争力的一项重要指标，目前EL段发光层制作阶段中PDLGap的重要影响因子主要是热膨胀、MaskPPA掩膜板像素位置精度及Shadow阴影。而MaskPPA的提升是目前第六代G6H世代的一个瓶颈。而影响MaskPPA的因素较多，主要是随着产品的世代增大，FMMSheet精密金属掩膜片的制作精度很难达到理想需求，而实际与理论模型的偏差势必带来精度管控的不确定性，不确定性因素越多，MaskPPA提升的瓶颈越难攻克。FMMIQC精密金属掩膜板进料质量控制设备是FMM入料的检测设备，能够反映入料FMM的品质状况，例如TP距离尺寸、CD关键尺寸、直线性、卷曲度、Defect缺陷、Tensionforce拉伸力、Wrinkle皱纹的测量。目前存在的问题是入料FMMSheet无法平坦的放置在载台Stage上进行测量，入料FMMSheet在载台上会向水平方向或竖直方向卷曲，因此FMMIQC设备对入料FMMSheet测量出来的尺寸精度会小于入料FMMSheet张网后的实际的尺寸精度。随着FMMSheet的尺寸增大，其厚度也会降低，导致卷曲程度越来越严重，FMMIQC设备测量出来的尺寸精度与FMMSheet实际的尺寸精度误差越来越大。发明内容本发明的目的在于提供一种IQC设备，可以达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片。本发明的目的还在于提供一种金属掩膜片的展平方法，可以达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片。为实现上述目的，本发明提供了一种IQC设备，包括：载台以及设于所述载台下方的展平单元；所述载台用于承载金属掩膜片；该金属掩膜片在载台上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元用于通过磁力将金属掩膜片卷曲的部分向靠近载台的方向吸附，以展平金属掩膜片。所述展平单元包括相邻的第一电磁块单元及第二电磁块单元；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元及第二电磁块单元均连接的控制单元；所述控制单元用于控制第一电磁块单元从载台的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元从载台的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。所述IQC设备还包括设于所述载台上方的量测单元，该量测单元用于量测展平后的金属掩膜片的尺寸。所述量测单元还用于检测展平后的金属掩膜片是否存在缺陷。所述IQC设备还包括与第一电磁块单元及第二电磁块单元均电性连接的电源，该电源用于向第一电磁块单元及第二电磁块单元供电，使第一电磁块单元及第二电磁块单元产生磁力。所述IQC设备还包括设于所述展平单元下方的背光源，该背光源用于为载台提供整面光照。所述第一电磁块单元及第二电磁块单元的宽度均大于金属掩膜片的宽度。本发明还提供一种金属掩膜片的展平方法，包括如下步骤：步骤S1、提供IQC设备；所述IQC设备包括：载台以及设于所述载台下方的展平单元；步骤S2、将金属掩膜片置于载台上；该金属掩膜片在载台上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元通过磁力将金属掩膜片卷曲的部分向靠近载台的方向吸附，以展平金属掩膜片。所述展平单元包括相邻的第一电磁块单元及第二电磁块单元；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元及第二电磁块单元均连接的控制单元；所述步骤S2中，所述控制单元控制第一电磁块单元从载台的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元从载台的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。所述IQC设备还包括设于所述载台上方的量测单元，该量测单元用于量测展平后的金属掩膜片的尺寸。本发明的有益效果：本发明的IQC设备包括载台以及设于所述载台下方的展平单元；所述载台用于承载金属掩膜片；该金属掩膜片在载台上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元用于通过磁力将金属掩膜片卷曲的部分向靠近载台的方向吸附，以展平金属掩膜片，达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片，后续可以精确量测金属掩膜片入料的尺寸精度，提高入料检测品质管理准确度；还能直接分析金属掩膜片张网后的像素位置精度与金属掩膜片入料的尺寸精度，便于制定更准确有效的入料规格，可提高金属掩膜片的导入验证准确性，减少上机验证的依赖性，节约成本，此外，由于可以精确量测金属掩膜片入料的尺寸精度，因此可以将相同尺寸精度的金属掩膜片统一张网，实现分类张网，可以提升金属掩膜片张网后的像素位置精度至少1um，从而降低OLED产品的子像素间距，提升产品竞争力。本发明的金属掩膜片的展平方法，可以达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片。附图说明为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。附图中，图1为本发明的IQC设备的结构示意图；图2为本发明的IQC设备的展平单元工作示意图；图3为本发明的金属掩膜片的展平方法的流程图。具体实施方式为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1及图2，本发明提供一种IQC设备，包括：载台10以及设于所述载台10下方的展平单元20；所述载台10用于承载金属掩膜片30；该金属掩膜片30在载台10上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元20用于通过磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30。具体的，所述金属掩膜片30为精密金属掩膜片。具体的，请参阅图2，所述展平单元20包括相邻的第一电磁块单元21及第二电磁块单元22；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均连接的控制单元70；所述控制单元70用于控制第一电磁块单元21从载台10的中心区域向远离中心区域的一侧运动，以通过磁力将金属掩膜片30位于载台10的中心区域至远离中心区域的一侧的区域展平，控制第二电磁块单元22从载台10的中心区域向远离中心区域的另一侧运动，以通过磁力将金属掩膜片30位于载台10的中心区域至远离中心区域的另一侧的区域展平；即第一电磁块单元21与第二电磁块单元22背向运动以将金属掩膜片30整体自然展平。具体的，所述IQC设备还包括设于所述载台10上方的量测单元40，该量测单元40用于量测展平后的金属掩膜片30的尺寸。具体的，所述量测单元40还用于检测展平后的金属掩膜片30是否存在缺陷。具体的，所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均电性连接的电源50，该电源50用于向第一电磁块单元21及第二电磁块单元22供电，以使第一电磁块单元21及第二电磁块单元22产生磁力。具体的，所述IQC设备还包括设于所述展平单元20下方的背光源60，该背光源60用于为载台10提供整面光照，有利于量测单元40量测尺寸及检测缺陷。具体的，所述第一电磁块单元21及第二电磁块单元22的宽度均大于金属掩膜片30的宽度宽度指图1中沿竖直方向的宽度，有利于更好地展平金属掩膜片30。需要说明的是，现有技术中解决金属掩膜片30卷曲的一个方法是：通过盖板玻璃CoverGlass对卷曲的金属掩膜片30进行压合展平，容易对金属掩膜片30造成损伤，且随着高世代的金属掩膜片30的尺寸变大，盖板玻璃的尺寸也会变大，盖板玻璃本身由于重力就存在一定量的弯曲，容易造成盖板玻璃与金属掩膜片30粘结或者盖板玻璃破片的问题。现有技术中解决金属掩膜片30卷曲的另一个方法是：通过夹子Gripper对卷曲的金属掩膜片30进行拉伸展平，而多个金属掩膜片30的卷曲程度不同，拉伸展平所需的力也不同，但量产过程中只能统一用相同的力拉伸，则会造成金属掩膜片30过度拉伸或拉伸不足。本发明在载台10下方设置展平单元20，利用磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30，达到自然展平金属掩膜片30的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片30，后续可以精确量测金属掩膜片30入料的尺寸精度，提高入料检测品质管理准确度；还能直接分析金属掩膜片30张网后的像素位置精度与金属掩膜片30入料的尺寸精度，便于制定更准确有效的入料规格，可提高金属掩膜片30的导入验证准确性，减少上机验证的依赖性，节约成本。此外，由于可以精确量测金属掩膜片30入料的尺寸精度，因此可以将相同尺寸精度的金属掩膜片30统一张网，实现分类张网，可以提升金属掩膜片30张网后的像素位置精度至少1um，从而降低OLED产品的子像素间距，提升产品竞争力。请参阅图3，基于上述IQC设备，本发明还提供一种金属掩膜片的展平方法，包括如下步骤：步骤S1、提供IQC设备；所述IQC设备包括：载台10以及设于所述载台10下方的展平单元20；步骤S2、将金属掩膜片30置于载台10上；该金属掩膜片30在载台10上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元20通过磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30。具体的，所述金属掩膜片30为精密金属掩膜片。具体的，请参阅图2，所述展平单元20包括相邻的第一电磁块单元21及第二电磁块单元22；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均连接的控制单元70；所述步骤S2中，所述控制单元70用于控制第一电磁块单元21用于从载台10的中心区域向远离中心区域的一侧运动，以通过磁力将金属掩膜片30位于载台10的中心区域至远离中心区域的一侧的区域展平，控制第二电磁块单元22用于从载台10的中心区域向远离中心区域的另一侧运动，以通过磁力将金属掩膜片30位于载台10的中心区域至远离中心区域的另一侧的区域展平；即第一电磁块单元21与第二电磁块单元22背向运动以将金属掩膜片30整体自然展平。具体的，所述IQC设备还包括设于所述载台10上方的量测单元40，该量测单元40用于量测展平后的金属掩膜片30的尺寸。具体的，所述量测单元40还用于检测展平后的金属掩膜片30是否存在缺陷。具体的，所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均电性连接的电源50，该电源50用于向第一电磁块单元21及第二电磁块单元22供电，以使第一电磁块单元21及第二电磁块单元22产生磁力。具体的，所述IQC设备还包括设于所述展平单元20下方的背光源60，该背光源60用于为载台10提供整面光照，有利于量测单元40量测尺寸及检测缺陷。具体的，所述第一电磁块单元21及第二电磁块单元22的宽度均大于金属掩膜片30的宽度宽度指图1中沿竖直方向的宽度，有利于更好地展平金属掩膜片30。需要说明的是，现有技术中解决金属掩膜片30卷曲的一个方法是：通过盖板玻璃CoverGlass对卷曲的金属掩膜片30进行压合展平，容易对金属掩膜片30造成损伤，且随着高世代的金属掩膜片30的尺寸变大，盖板玻璃的尺寸也会变大，盖板玻璃本身由于重力就存在一定量的弯曲，容易造成盖板玻璃与金属掩膜片30粘结或者盖板玻璃破片的问题。现有技术中解决金属掩膜片30卷曲的另一个方法是：通过夹子Gripper对卷曲的金属掩膜片30进行拉伸展平，而多个金属掩膜片30的卷曲程度不同，拉伸展平所需的力也不同，但量产过程中只能统一用相同的力拉伸，则会造成金属掩膜片30过度拉伸或拉伸不足。本发明在载台10下方设置展平单元20，利用磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30，达到自然展平金属掩膜片30的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片30，后续可以精确量测金属掩膜片30入料的尺寸精度，提高入料检测品质管理准确度；还能直接分析金属掩膜片30张网后的像素位置精度与金属掩膜片30入料的尺寸精度，便于制定更准确有效的入料规格，可提高金属掩膜片30的导入验证准确性，减少上机验证的依赖性，节约成本。此外，由于可以精确量测金属掩膜片30入料的尺寸精度，因此可以将相同尺寸精度的金属掩膜片30统一张网，实现分类张网，可以提升金属掩膜片30张网后的像素位置精度至少1um，从而降低OLED产品的子像素间距，提升产品竞争力。综上所述，本发明的IQC设备包括载台以及设于所述载台下方的展平单元；所述载台用于承载金属掩膜片；该金属掩膜片在载台上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元用于通过磁力将金属掩膜片卷曲的部分向靠近载台的方向吸附，以展平金属掩膜片，达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片，后续可以精确量测金属掩膜片入料的尺寸精度，提高入料检测品质管理准确度；还能直接分析金属掩膜片张网后的像素位置精度与金属掩膜片入料的尺寸精度，便于制定更准确有效的入料规格，可提高金属掩膜片的导入验证准确性，减少上机验证的依赖性，节约成本，此外，由于可以精确量测金属掩膜片入料的尺寸精度，因此可以将相同尺寸精度的金属掩膜片统一张网，实现分类张网，可以提升金属掩膜片张网后的像素位置精度至少1um，从而降低OLED产品的子像素间距，提升产品竞争力。本发明的金属掩膜片的展平方法，可以达到自然展平金属掩膜片的目的，且适用于卷曲程度不同的多个金属掩膜片。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

权利要求：1.一种IQC设备，其特征在于，包括：载台10以及设于所述载台10下方的展平单元20；所述载台10用于承载金属掩膜片30；该金属掩膜片30在载台10上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元20用于通过磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30。2.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，所述展平单元20包括相邻的第一电磁块单元21及第二电磁块单元22；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均连接的控制单元70；所述控制单元70用于控制第一电磁块单元21从载台10的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元22从载台10的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。3.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，还包括设于所述载台10上方的量测单元40，该量测单元40用于量测展平后的金属掩膜片30的尺寸。4.如权利要求3所述的IQC设备，其特征在于，所述量测单元40还用于检测展平后的金属掩膜片30是否存在缺陷。5.如权利要求2所述的IQC设备，其特征在于，还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均电性连接的电源50，该电源50用于向第一电磁块单元21及第二电磁块单元22供电，使第一电磁块单元21及第二电磁块单元22产生磁力。6.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，还包括设于所述展平单元20下方的背光源60，该背光源60用于为载台10提供整面光照。7.如权利要求2所述的IQC设备，其特征在于，所述第一电磁块单元21及第二电磁块单元22的宽度均大于金属掩膜片30的宽度。8.一种金属掩膜片的展平方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供IQC设备；所述IQC设备包括：载台10以及设于所述载台10下方的展平单元20；步骤S2、将金属掩膜片30置于载台10上；该金属掩膜片30在载台10上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元20通过磁力将金属掩膜片30卷曲的部分向靠近载台10的方向吸附，以展平金属掩膜片30。9.如权利要求8所述的金属掩膜片的展平方法，其特征在于，所述展平单元20包括相邻的第一电磁块单元21及第二电磁块单元22；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元21及第二电磁块单元22均连接的控制单元70；所述步骤S2中，所述控制单元70控制第一电磁块单元21从载台10的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元22从载台10的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。10.如权利要求8所述的金属掩膜片的展平方法，其特征在于，所述IQC设备还包括设于所述载台10上方的量测单元40，该量测单元40用于量测展平后的金属掩膜片30的尺寸。

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