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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种掩膜版以及半导体结构的形成方法，所述掩膜版包括：第一掩膜版，包括主图形以及位于主图形中的反相辅助图形；第二掩膜版，与第一掩膜版相配合，包括补偿图形，补偿图形的透光特性与反相辅助图形的透光特性相反，补偿图形在第一掩膜版上的投影覆盖反相辅助图形且位于主图形中。本发明实施例的掩膜版还包括与第一掩膜版相配合的第二掩膜版，如果第一掩膜版中的反相辅助图形在光刻工艺中显影出图形，能够利用第二掩膜版将反相辅助图形在光刻时形成的图形去除，使目标图形满足设计要求，且不需为防止出现反相辅助图形在光刻时发生显影的问题而缩小反相辅助图形的尺寸，有利于增大形成掩膜版的工艺窗口和光刻的工艺窗口，提高图形转移的精度。
主权项：1.一种掩膜版，其特征在于，包括：第一掩膜版，包括主图形、以及位于所述主图形中的反相辅助图形；第二掩膜版，与所述第一掩膜版相配合，包括补偿图形，所述补偿图形的透光特性与所述反相辅助图形的透光特性相反，所述补偿图形在第一掩膜版上的投影覆盖所述反相辅助图形且位于所述主图形中，其中，所述补偿图形的透光特性与所述反相辅助图形的透光特性相反，指的是所述补偿图形的透光率与所述反相辅助图形的透光率之和为100％。
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