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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2011-10-20
公开（公告）日：2021-05-04
公开（公告）号：CN105425177B
主分类号：G01R33/09(20060101)
分类号：G01R33/09(20060101)
优先权：["20101020 US 12/908469"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2021.05.04#授权;2016.04.20#实质审查的生效;2016.03.23#公开
摘要：本发明涉及具有减小的不连续性的xMR传感器。实施例涉及xMR传感器和xMR传感器内的xMR条的配置，该xMR传感器包括巨磁阻（GMR）、隧道磁阻（TMR）或各向异性磁阻（AMR）。在实施例中，xMR条包括多个不同大小和或不同取向的、串联连接的部分。在另一实施例中，xMR条包括变化的宽度或其它特性。这样的配置可以解决与传统xMR传感器相关联的不连续性并且提高xMR传感器性能。
主权项：1.一种用于形成磁阻条的方法，包括：形成具有第一端和第二端的磁阻条；以及相对于所述磁阻条的中心的宽度调整所述第一端和所述第二端的宽度以补偿不想要的磁场分量，其中调整包括使得所述第一端和所述第二端的宽度小于所述中心的宽度以及其中调整包括使得所述第一端和所述第二端的宽度随着不想要的By磁场分量增加而更小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有减小的不连续性的xMR传感器
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皖公网安备 34010402703815号