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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种通过O3处理改善GOI表现的方法，提供半导体结构；利用O3对半导体结构进行第一次湿法清洗；利用O3对半导体结构进行第二次湿法清洗；在半导体结构上形成栅氧层。本发明通过优化栅氧形成前的湿法工艺条件，引入两次O3处理方法，这极大增强了表面清洗能力，减少晶圆表面的颗粒，改善硅片表面条件，减少栅氧层表面缺陷，从而可以有效改善GOI表现。
主权项：1.一种通过O3处理改善GOI表现的方法，至少包括：步骤一、提供半导体结构；步骤二、利用O3对所述半导体结构进行第一次湿法清洗；步骤三、利用O3对所述半导体结构进行第二次湿法清洗；步骤四、在所述半导体结构上形成栅氧层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种通过O3处理改善GOI表现的方法
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