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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒层；第一盖帽层和第二盖帽层上分别设置有源电极和漏电极；势垒层、源电极和漏电极上跨设有介质层，介质层边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，源电极和漏电极的上端穿出介质层；介质层还连接有栅电极；本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构，其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控，本方案还通过引入介质层，降低了器件的栅极泄漏电流，提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。
主权项：1.一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件，包括衬底和依序层叠设置在衬底一端面上的缓冲层和沟道层，其特征在于，其还包括：第一盖帽层，设置在沟道层远离缓冲层的端面一侧；第二盖帽层，设置在沟道层远离缓冲层的端面另一侧；势垒层，设置在第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上；源电极，为倒T形结构，且设置在第一盖帽层上；漏电极，为倒T形结构，且设置在第二盖帽层上；介质层，横跨设置在势垒层、源电极和漏电极上，且其边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，所述源电极和漏电极的倒T形结构上端穿出介质层并外露出介质层；栅电极，为T形结构，且与介质层连接；其中，所述势垒层远离沟道层的端面上被刻蚀形成沟槽，且所述介质层对应势垒层上的沟槽形成与沟槽轮廓相适配的内凹部，所述栅电极的T形结构下端连接至内凹部中；所述沟道层对应与第一盖帽层和第二盖帽层连接的端面两侧均被刻蚀处理形成高度落差相同的台面状；所述第一盖帽层和第二盖帽层的上端面均与势垒层的上端面相平；另外，所述的缓冲层为非故意掺杂β-Ga2O3缓冲层；所述沟道层为非故意掺杂β-Ga2O3沟道层；所述衬底为高阻或半绝缘β-Ga2O3；所述的势垒层为n型掺杂β-AlGa2O3；所述第一盖帽层和第二盖帽层均为n型重掺杂的β-Ga2O3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件
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