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申请/专利权人：陕西格芯国微半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的ASK电磁波调制的超表面，包括，金属谐振单元、底座，其中，金属谐振结构由两个完全相同的半封闭式谐振金属环组成，其中一个作为忆阻器的顶电极，一个作为忆阻器的底电极，阻变层采用外延生长方式，衬底采用导电材料，同时在衬底和阻变层之间加入钝化层。本发明利用忆阻器结构将阻变层作为超表面的介质层，通过改变超表面外加电压的大小，实现对电磁波的ASK调控。传统无线通信系统的载波调制过程，需要利用混频器等设备将基带信号与载波进行混频。在本系统中，设计编码超表面来接收信号的调制和传输，而不需要使用原来复杂的模拟器件。
主权项：1.一种基于忆阻器的ASK电磁波调制的超表面，其特征在于，包括，金属谐振单元、底座；所述底座由忆阻器、直流馈电结构、钝化层、衬底组成；所述金属谐振单元由两个半封闭式谐振金属环组成；所述忆阻器由两个半封式闭谐振金属环与阻变层组成，两个半封式闭谐振金属环分别作为忆阻器的顶、底电极。
全文数据：
权利要求：
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