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申请/专利权人：中北大学
摘要：本发明属于微机电系统和微惯性器件技术领域，具体涉及一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计，包括输入硅纳米线、弯曲硅纳米线、输出硅纳米线、质量块、悬臂梁、支撑结构，所述弯曲硅纳米线固定在质量块上，所述弯曲硅纳米线的一端与输入硅纳米线耦合，所述弯曲硅纳米线的另一端与输出硅纳米线耦合，所述质量块通过悬臂梁与支撑结构连接，所述输入硅纳米线、弯曲硅纳米线均固定在支撑结构上。本发明基于光学原理，通过检测波导中光功率变化实现加速度检测，具有免疫电磁干扰和外界环境光干扰的特点；根据微纳波导倏逝场耦合原理，极其微小的位移将会引起耦合效率的剧烈变化，具有很高的测量灵敏度。
主权项：1.一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计，其特征在于：包括输入硅纳米线1、弯曲硅纳米线2、输出硅纳米线3、质量块4、悬臂梁5、支撑结构6，所述弯曲硅纳米线2固定在质量块4上，所述弯曲硅纳米线2的一端与输入硅纳米线1耦合，所述弯曲硅纳米线2的另一端与输出硅纳米线3耦合，所述质量块4通过悬臂梁5与支撑结构6连接，所述输入硅纳米线1、弯曲硅纳米线2均固定在支撑结构6上；所述输入硅纳米线1的端面输入泵浦光，所述泵浦光耦合入输入硅纳米线1中以导波方式传输，然后通过倏逝场耦合的方式导波能量从输入硅纳米线1耦合入位于质量块4上的弯曲硅纳米线2中，在弯曲硅纳米线2中传输一段距离后，同样经由倏逝场耦合入输出硅纳米线3中，当输入加速度量，所述质量块4与支撑结构6发生相对位移，带动弯曲硅纳米线2相对输入硅纳米线1、输出硅纳米线3发生轴向位移，弯曲硅纳米线2和输出硅纳米线3的位移引发重叠长度改变，从而导致耦合效率变化，通过检测输出硅纳米线3输出光功率变化推算出弯曲硅纳米线2位移量，进而计算出输入加速度量大小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中北大学 一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计
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