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申请/专利权人：日立能源瑞士股份公司

摘要：半导体器件按从第一主侧21到第二主侧22的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层3、第二导电类型的第三半导体层41、第二导电类型的第五半导体层43、以及第二导电类型的第四半导体层42，其中，第三半导体层与第一半导体层3形成pn结5，第五半导体层43的最大掺杂浓度低于第四半导体层42的最大掺杂浓度且高于第三半导体层41的最大掺杂浓度，并且其中，第一导电类型的第一半导体区51和第二半导体区52完全嵌入在第五半导体层43中。在反向恢复期间，第一半导体区51的第一导电类型载流子注入持续时间不同于第二半导体区52的第一导电类型载流子注入持续时间。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体晶片2，所述半导体晶片具有第一主侧21和与所述第一主侧21相对的第二主侧22；第一电极层11，所述第一电极层在所述第一主侧21上；第二电极层12，所述第二电极层在所述第二主侧22上；其中，所述半导体晶片2按从所述第一主侧21到所述第二主侧22的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层3，所述第一半导体层与所述第一电极层11欧姆接触；第二导电类型的第二半导体层4，所述第二半导体层与所述第二电极层12欧姆接触，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述第一半导体层3与所述第二半导体层4形成第一pn结5，其中，所述第一导电类型的第一半导体区51和所述第一导电类型的第二半导体区52完全嵌入在所述第二半导体层4中，其中，所述第二半导体层4包括：所述第二导电类型的第三半导体层41，所述第三半导体层41与所述第一半导体层3形成所述第一pn结5；以及所述第二导电类型的第四半导体层42，所述第四半导体层42与所述第二电极层12处于所述欧姆接触中，所述第四半导体层42的最大掺杂浓度比所述第三半导体层41的最大掺杂浓度高至少一个数量级，以及所述第二导电类型的第五半导体层43，所述第五半导体层在所述第三半导体层41和所述第四半导体层42之间，所述第五半导体层43的最大掺杂浓度低于所述第四半导体层42的最大掺杂浓度并且高于所述第三半导体层41的最大掺杂浓度，其中，所述第一半导体区51和所述第二半导体区52完全嵌入在所述第五半导体层43中，其特征在于，在反向恢复期间，所述第一半导体区51的第一导电类型载流子注入持续时间不同于所述第二半导体区52的第一导电类型载流子注入持续时间。

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权利要求：

百度查询： 日立能源瑞士股份公司 用于更软的反向恢复且有载流子的逐渐注入的半导体器件