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申请/专利权人：天津工业大学
摘要：本发明涉及二维半导体技术领域，具体涉及一种高压下二维半导体迁移载流子差分检测方法，本发明由吸收系数获取分布的随机数，进而确定光生载流子的初始位置，通过在已检测二维半导体上施加正反高压电，建立迁移载流子差分检测模型，并验证移载流子差分检测模型的准确性，将准确率与合格设定阈值进行对比，确认在可结束范围内的移载流子差分检测模型，通过移载流子差分检测模型对待检测二维半导体移载流子差分检测，并将检测结果与存储的信息进行对比，最终确认检测结果。
主权项：1.一种高压下二维半导体迁移载流子差分检测方法，其特征在于，包括以下步骤：1由吸收系数获取分布的随机数，进而确定光生载流子的初始位置，并设定载流子注入时的波矢为0；2向已检测二维半导体通入高压电，迁移载流子开始迁移加速；3记录迁移载流子的飞行时间和能量，将此时刻的波矢和能量作为下一次自由行程的初始值重新模拟，直到各载流子运动总距离等于样品厚度；4调整高压电的电极，极性相反的载流子的飞行时间和能量，将此时刻的波矢和能量作为下一次自由行程的初始值重新模拟，直到各载流子运动总距离等于样品厚度；5建立迁移载流子差分检测模型；6取待检测的二维半导体，采用迁移载流子差分检测模型，检测二维半导体在正反高压下的反射信号，获得差分反射信号，将该差分反射信号与存储数据库内的信号进行对比，完成对于二维半导体迁移载流子差分的检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津工业大学 一种高压下二维半导体迁移载流子差分检测方法
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