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申请/专利权人：中国原子能科学研究院
摘要：本发明公开了一种预测质子单粒子效应截面的BGR方法改进及其应用，进行电子器件的重离子SEE实验，确定器件重离子SEE截面曲线函数；模拟质子与薄硅层核反应，统计p+Si核反应产物能谱，计算出BGR函数；根据改进的BGR方法，得到预测质子单粒子效应截面。本发明改进的BGR方法，对BGR函数计算进行相应的限制，仅考虑反冲核能量小于ρSitSVLmE的情况，改变了预测结果的趋势；引入核反应体积厚度参数tRV，计算中tRV可小于tSV也可大于tSV，相对原始的BGR方法扩大了预测结果的范围；最终得到的预测结果在数值与趋势上均与实验结果相符，可有效预测质子单粒子效应截面，相对原始的BGR方法有很大程度的进步；本发明改进的BGR方法还可用于预测中子单粒子效应截面。
主权项：1.预测质子单粒子效应截面的BGR方法改进，其特征是，包括以下步骤：1进行电子器件的重离子SEE实验，确定器件的重离子SEE截面Wellbull函数σHIL；2模拟质子与薄硅层核反应，计算p+Si核反应产物能谱及BGR函数；3结合计算的BGR函数和重离子SEE截面Wellbull函数σHIL，利用改进的BGR方法，得到预测质子单粒子效应截面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国原子能科学研究院 预测质子单粒子效应截面的BGR方法改进及其应用
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