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申请/专利权人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要:本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法,涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域,在预定氩气流量下,随着晶棒拉制长度的增加,坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值,以降低晶棒的氧含量,进而氧与空位结合的概率降低,不易形成体微缺陷,且使得氧含量径向分布均匀,进而降低器件端正向压降VF异常的概率。
主权项:1.一种降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法,其特征在于:在晶棒拉制等径阶段时,在预定氩气流量下,随着晶棒拉制长度的增加,坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时,达到预定的比值,以降低晶棒的氧含量。
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